科学家将DNA制成功耗降低100倍的记忆器件

宾州大学研究团队将合成DNA与钙钛矿半导体结合，制成可在低于0.1伏下工作的memristor，功耗约为传统闪存十分之一，存储密度更高。器件在约250华氏度仍稳定运行超六周，研究已发表在Advanced Functional Materials并申请专利。